DRV8701 电机驱动器参数与引脚记录

6 规格参数

6.1 绝对最大额定值

在自由空气工作温度范围内，所有参数均以 GND 为参考，除非另有说明。

注意：绝对最大额定值是器件能够承受的极限值，不代表推荐工作条件。超过这些范围可能导致器件永久损坏。

参数	最小值	最大值	单位
电源电压 VM	-0.3	47	V
电源电压上升速率 VM	0	2	V/µs
电荷泵电压 VCP、CPH	-0.3	VM + 12	V
电荷泵负向开关引脚 CPL	-0.3	VM	V
内部逻辑稳压器电压 DVDD	-0.3	3.8	V
内部模拟稳压器电压 AVDD	-0.3	5.75	V
控制引脚电压 PH、EN、IN1、IN2、nSLEEP、nFAULT、VREF、IDRIVE、SNSOUT	-0.3	5.75	V
高边栅极引脚电压 GH1、GH2	-0.3	VM + 12	V
相位节点连续电压 SH1、SH2	-1.2	VM + 1.2	V
相位节点 10µs 脉冲电压 SH1、SH2	-2.0	VM + 2	V
低边栅极引脚电压 GL1、GL2	-0.3	12	V
采样放大器输入引脚连续电压 SP、SN	-0.5	1	V
采样放大器输入引脚 10µs 脉冲电压 SP、SN	-1	1	V
采样放大器输出引脚电压 SO	-0.3	5.75	V
开漏输出电流 nFAULT、SNSOUT	0	10	mA
栅极源出电流 GH1、GL1、GH2、GL2	0	250	mA
栅极灌入电流 GH1、GL1、GH2、GL2	0	500	mA
采样放大器输出引脚电流 SO	0	5	mA
工作结温 TJ	-40	150	℃
存储温度 Tstg	-65	150	℃

注：

超过“绝对最大额定值”中列出的应力条件，可能会对器件造成永久损坏。这些数值仅表示器件可承受的极限应力，并不表示器件在这些条件下或在超出“推荐工作条件”范围的其他条件下能够正常工作。长时间暴露在绝对最大额定值条件下，可能会影响器件的可靠性。

nFAULT：故障使能输出，可接低电平的LED灯 VREF：限流电阻

以下为 DRV8701ERGET / DRV8701E，PH/EN 控制版本的引脚功能，封装为 24-Pin VQFN / RGE。

DRV8701ERGET 引脚功能表（数据手册第 3～4 页）

引脚号	引脚名	类型	功能说明	典型连接 / 注意事项
1	VM	电源输入	电机驱动主电源输入	接电机电源；靠近引脚放 0.1µF 陶瓷电容和 ≥10µF 电容到 GND
2	VCP	电荷泵输出	高边 MOSFET 栅极驱动电荷泵输出	接 1µF / 16V 电容到 VM
3	CPH	电荷泵开关节点	电荷泵飞跨电容一端	与 CPL 之间接 0.1µF X7R 电容
4	CPL	电荷泵开关节点	电荷泵飞跨电容另一端	与 CPH 配合使用
5	GND	电源地	芯片地	必须接系统 GND
6	VREF	模拟输入	电流调节参考电压输入	决定限流阈值；可接电阻分压、DAC 或 PWM 滤波
7	AVDD	电源输出	内部 4.8V 模拟稳压输出	对 GND 接 1µF 电容；最大外部负载约 30mA
8	DVDD	电源输出	内部 3.3V 逻辑稳压输出	对 GND 接 1µF 电容；可给小电流逻辑电路供电
9	nFAULT	开漏输出	故障指示输出	故障时拉低；需要 ≥10kΩ 上拉电阻
10	SNSOUT	开漏输出	电流斩波状态输出	进入限流斩波时拉低；需要 ≥10kΩ 上拉电阻
11	SO	模拟输出	电流采样放大器输出	输出采样电阻电压放大后的信号，可接 MCU ADC；外接电容不超过 1nF
12	IDRIVE	输入	栅极驱动电流设置脚	通过电阻到 GND 或 AVDD 设置 MOS 栅极驱动强度
13	nSLEEP	输入	睡眠控制脚	低电平进入睡眠模式；高电平正常工作；内部带下拉
14	EN	输入	H 桥使能输入	EN=1 允许驱动；EN=0 进入刹车/慢衰减模式；通常接 PWM
15	PH	输入	H 桥方向控制输入	控制电机正反转方向；通常接 DIR
16	GND	电源地	芯片地	必须接系统 GND
17	GH1	输出	第一桥臂高边 MOS 栅极驱动	接第一路高边 N-MOS 的 Gate
18	SH1	输入 / 开关节点	第一桥臂相位节点	接第一路高边 MOS 源极、低边 MOS 漏极、电机一端
19	GL1	输出	第一桥臂低边 MOS 栅极驱动	接第一路低边 N-MOS 的 Gate
20	SN	输入	电流采样放大器负输入	接采样电阻低端，通常靠近 GND
21	SP	输入	电流采样放大器正输入	接采样电阻高端，通常连接低边 MOS 源极侧
22	GL2	输出	第二桥臂低边 MOS 栅极驱动	接第二路低边 N-MOS 的 Gate
23	SH2	输入 / 开关节点	第二桥臂相位节点	接第二路高边 MOS 源极、低边 MOS 漏极、电机另一端
24	GH2	输出	第二桥臂高边 MOS 栅极驱动	接第二路高边 N-MOS 的 Gate
PAD	PPAD / GND	散热焊盘 / 地	芯片底部散热焊盘	必须接 GND，建议多过孔连接地平面散热

DRV8701E 控制逻辑

nSLEEP	EN	PH	SH1	SH2	工作状态
0	X	X	高阻	高阻	睡眠模式，H 桥关闭
1	0	X	L	L	刹车，低边慢衰减
1	1	0	L	H	反转
1	1	1	H	L	正转

常用理解

1
nSLEEP：芯片总使能 / 睡眠控制
2
EN：PWM 调速 / H 桥使能
3
PH：方向控制
4
VM：电机电源
5
GH1/GH2：高边 MOS 栅极驱动
6
GL1/GL2：低边 MOS 栅极驱动
7
SH1/SH2：H 桥两个输出相位节点
8
SP/SN：电流采样输入
9
SO：电流采样模拟输出
10
VREF：限流参考电压
11
nFAULT：故障输出
12
SNSOUT：限流斩波状态输出

不想使用电流限制功能，数据手册的做法是： VREF 接 AVDD SP 接 GND SN 接 GND IDRIVE 是设置 MOSFET 栅极驱动电流的脚。

mos选型第一步：确定电源电压 24V → MOS VDS 选 60V 或 80V

第二步：确定电机最大电流看额定电流、启动电流、堵转电流

第三步：按电流选 RDS(on) 电流越大，RDS(on) 越低

第四步：看 Qg / Qgd 不要为了低内阻选超大 Qg 的 MOS

第五步：看封装散热确认 PCB 能不能把热导出去

第六步：看价格和采购能买到、供货稳定，比参数极致更重要